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長江存儲國家存儲器基地項目（一期）
暫時沒有信息！ 暫時沒有信息！ 暫時沒有信息！ 暫時沒有信息！
長江存儲科技有限責任公司國家存儲器基地項目（一期）
12
英寸
3D NAND Flash
閃存芯片生產
建筑面積
62
萬平米；投資額
80
億美元；
工作范圍包括工程總承包
同一系列項目
SAME SERIES OF PROJECTS
長江存儲國家存儲器基地項目（一期）
紫光南京12英寸存儲器項目
株洲南車8英寸IGBT芯片項目
英諾賽科8英寸氮化鎵項目
西安奕斯偉項目12寸硅片
天津三安光電砷化鎵/氮化鎵超高亮度發光二極管
上海宏力半導體8英寸芯片項目
廈門通富先進封裝測試項目
三星12英寸3D NAND Flash芯片一期、二期項目
瑞薩半導體北京集成電路封裝測試項目
美光半導體西安集成電路封裝測試項目
合肥力晶12英寸集成電路芯片項目
杭州士蘭微電子8英寸IC/MEMS項目
廣州粵芯半導體項目-12寸晶圓制造廠
Produced By CMS 網站群內容管理系統 publishdate:2023/10/12 14:41:36
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